Модули памяти

Оперативная память Qumo ReVolution Primary Q4Rev-16G3000P16PrimR

руб Стоимость 9240
Количество комментариев: 0
Характеристики товара Оперативная память Qumo ReVolution Primary Q4Rev-16G3000P16PrimR

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 3000 МГц Пропускная способность 24000 МБ/с Объем 1 модуль 16 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP есть Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 18 Row Precharge Delay (tRP) 18 Activate to Precharge Delay (tRAS) 36 Дополнительно Напряжение...

Оперативная память Qumo ReVolution Primary Q4Rev-16G2800P16Prim

руб Стоимость 9040
Количество комментариев: 0
Характеристики товара Оперативная память Qumo ReVolution Primary Q4Rev-16G2800P16Prim

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2800 МГц Пропускная способность 22400 МБ/с Объем 1 модуль 16 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP есть Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 18 Row Precharge Delay (tRP) 18 Activate to Precharge Delay (tRAS) 36 Дополнительно Напряжение...

Оперативная память Qumo ReVolution Primary Q4Rev-16G2400P16PrimR

руб Стоимость 8080
Количество комментариев: 0
Характеристики товара Оперативная память Qumo ReVolution Primary Q4Rev-16G2400P16PrimR

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/с Объем 1 модуль 16 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 16 Row Precharge Delay (tRP) 16 Activate to Precharge Delay (tRAS) 39 Дополнительно Напряжение...

Оперативная память Qumo ReVolution Primary Q4Rev-16G2M2666P16Prim

руб Стоимость 7280
Количество комментариев: 0
Характеристики товара Оперативная память Qumo ReVolution Primary Q4Rev-16G2M2666P16Prim

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 2 модуля по 8 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP есть Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 16 Row Precharge Delay (tRP) 16 Activate to Precharge Delay (tRAS) 36 Дополнительно Напряжение...

Оперативная память 8 ГБ 2 шт. Patriot Memory PVR416G320C6K

руб Стоимость 6549
Количество комментариев: 15
Характеристики товара Оперативная память 8 ГБ 2 шт. Patriot Memory PVR416G320C6K

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с Объем 2 модуля по 8 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP есть Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 18 Row Precharge Delay (tRP) 18 Activate to Precharge Delay (tRAS) 36 Дополнительно Напряжение питания...

Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Qumo ReVolution Primary Q4Rev-16G2400P16PrimR

руб Стоимость 5940
Количество комментариев: 0
Характеристики товара Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Qumo ReVolution Primary Q4Rev-16G2400P16PrimR

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/с Объем 1 модуль 16 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 16 Row Precharge Delay (tRP) 16 Activate to Precharge Delay (tRAS) 39 Дополнительно...

Оперативная память 8 ГБ 2 шт. Corsair CMK16GX4M2A2666C16

руб Стоимость 4679
Количество комментариев: 3
Характеристики товара Оперативная память 8 ГБ 2 шт. Corsair CMK16GX4M2A2666C16

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 2 модуля по 8 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP есть Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 18 Row Precharge Delay (tRP) 18 Activate to Precharge Delay (tRAS) 35 Дополнительно Напряжение питания 1...

Оперативная память Corsair CMK16GX4M2F4600C19

руб Стоимость 46089
Количество комментариев: 0
Характеристики товара Оперативная память Corsair CMK16GX4M2F4600C19

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 4600 МГц Пропускная способность 36800 МБ/с Объем 2 модуля по 8 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP есть Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 19 RAS to CAS Delay (tRCD) 26 Row Precharge Delay (tRP) 26 Activate to Precharge Delay (tRAS) 46 Дополнительно Напряжение питания 1.5 В...

Оперативная память Corsair CMK8GX4M2A2133C13R

руб Стоимость 4400
Количество комментариев: 0
Характеристики товара Оперативная память Corsair CMK8GX4M2A2133C13R

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2133 МГц Пропускная способность 17000 МБ/с Объем 2 модуля по 4 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP есть Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 13 RAS to CAS Delay (tRCD) 15 Row Precharge Delay (tRP) 15 Activate to Precharge Delay (tRAS) 28 Дополнительно Напряжение питания 1.2 В...

Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Crucial CT4G4RFS824A

руб Стоимость 4309
Количество комментариев: 0
Характеристики товара Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Crucial CT4G4RFS824A

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 17 Дополнительно Напряжение питания 1.2 В Количество ранков 1 Производитель Китай

Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Corsair CMV16GX4M1A2133C15

руб Стоимость 4309
Количество комментариев: 1
Характеристики товара Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Corsair CMV16GX4M1A2133C15

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2133 МГц Пропускная способность 17000 МБ/с Объем 1 модуль 16 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 15 RAS to CAS Delay (tRCD) 15 Row Precharge Delay (tRP) 15 Activate to Precharge Delay (tRAS) 36 Дополнительно Напряжение питания 1.2 В Срок службы...

Оперативная память Qumo ReVolution Primary Q4Rev-8G2M3000C16Prim

руб Стоимость 4290
Количество комментариев: 0
Характеристики товара Оперативная память Qumo ReVolution Primary Q4Rev-8G2M3000C16Prim

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 3000 МГц Пропускная способность 24000 МБ/с Объем 2 модуля по 4 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP есть Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 18 Row Precharge Delay (tRP) 18 Activate to Precharge Delay (tRAS) 36 Дополнительно Напряжение...

Оперативная память Qumo ReVolution Primary Q4Rev-8G2400P16Prim

руб Стоимость 3990
Количество комментариев: 0
Характеристики товара Оперативная память Qumo ReVolution Primary Q4Rev-8G2400P16Prim

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/с Объем 1 модуль 8 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 16 Row Precharge Delay (tRP) 16 Activate to Precharge Delay (tRAS) 39 Дополнительно Напряжение питания...

Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Kingston KVR24R17S8/4

руб Стоимость 3800
Количество комментариев: 0
Характеристики товара Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Kingston KVR24R17S8/4

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC есть Поддержка XMP нет Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 17 RAS to CAS Delay (tRCD) 17 Row Precharge Delay (tRP) 17 Дополнительно Количество чипов каждого модуля 9, двусторонняя упаковка Напряжение...

Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Kingston KVR24E17S8/4

руб Стоимость 3600
Количество комментариев: 0
Характеристики товара Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Kingston KVR24E17S8/4

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC есть Поддержка XMP нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 17 RAS to CAS Delay (tRCD) 17 Row Precharge Delay (tRP) 17 Дополнительно Количество чипов каждого модуля 9, односторонняя упаковка...

Оперативная память Corsair CMK32GX4M2F4000C19

руб Стоимость 35200
Количество комментариев: 4
Характеристики товара Оперативная память Corsair CMK32GX4M2F4000C19

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 4000 МГц Пропускная способность 32000 МБ/с Объем 2 модуля по 16 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP есть Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 19 RAS to CAS Delay (tRCD) 23 Row Precharge Delay (tRP) 23 Activate to Precharge Delay (tRAS) 45 Дополнительно Напряжение питания 1.35 В...

Оперативная память 4 ГБ 2 шт. Patriot Memory PSD48G2400KH CL 17

руб Стоимость 3510
Количество комментариев: 0
Характеристики товара Оперативная память 4 ГБ 2 шт. Patriot Memory PSD48G2400KH CL 17

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/с Объем 2 модуля по 4 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 17 RAS to CAS Delay (tRCD) 17 Row Precharge Delay (tRP) 17 Activate to Precharge Delay (tRAS) 39 Дополнительно Напряжение...

Оперативная память Patriot Memory PSD48G2400KH CL 17

руб Стоимость 3510
Количество комментариев: 0
Характеристики товара Оперативная память Patriot Memory PSD48G2400KH CL 17

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/с Объем 2 модуля по 4 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 17 RAS to CAS Delay (tRCD) 17 Row Precharge Delay (tRP) 17 Activate to Precharge Delay (tRAS) 39 Дополнительно Напряжение питания 1.2 В...

Оперативная память 4 ГБ 2 шт. Patriot Memory PV38G160C9K

руб Стоимость 3380
Количество комментариев: 5
Характеристики товара Оперативная память 4 ГБ 2 шт. Patriot Memory PV38G160C9K

Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Объем 2 модуля по 4 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP есть Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Activate to Precharge Delay (tRAS) 24 Дополнительно Напряжение питания 1.5...

Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Ballistix BLE4G4D30AEEA

руб Стоимость 3379
Количество комментариев: 0
Характеристики товара Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Ballistix BLE4G4D30AEEA

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 3000 МГц Пропускная способность 24000 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP есть Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 15 RAS to CAS Delay (tRCD) 16 Row Precharge Delay (tRP) 16 Дополнительно Напряжение питания 1.35 В Радиатор есть Срок службы 30309 дн....